O hidrogênio é usado no crescimento de cristais e preparação de contraste, processo de oxidação, processo de epitaxia e deposição química (CVD). A indústria de semicondutores tem uma alta exigência de pureza do gás. A incorporação de vestígios de impurezas alterará a atividade superficial dos semicondutores. Quando o SIHCI3 é gerado a partir de silício por cloreto de hidrogênio, ele é separado pelo processo de fracionamento e reduzido por hidrogênio em alta temperatura para atender ao requisito de pureza do semicondutor: SIHCI3+H2--- -Si+3HCI. O requisito de pureza do hidrogênio é muito alto no processo acima. As impurezas do monóxido de carbono e do dióxido de carbono no hidrogênio oxidarão o substrato e formarão polissilício. Se contiver metano, formará carboneto de silício na camada externa, causando defeitos. No passado, o teor de oxigênio era inferior a 1 * 10-6 e o ponto de orvalho era inferior a - 70c, mas agora é mais exigente. A produção de hidrogênio por eletrólise da água pode atender aos altos requisitos de semicondutores para hidrogênio.
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